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走査型プローブ顕微鏡セミナー2007
■講演
当日の講演内容をご紹介します。
講演タイトル欄に「予稿資料」または「プレゼンテーション資料」の記載があるものは、PDFファイルでの資料ダウンロードが可能です。
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【第1部 高精度SPMによる測定と物性観察】
| 氏名: |
山中 重宣 様 |
| 所属: |
大研化学工業株式会社 CNP事業部 |
| 講演タイトル: |
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| 概要: |
カーボンナノチューブは、直径が10〜20nm程度であり長さはその200倍以上ある。強度はダイヤモンド並であり、AFM用プローブの先端としては最適である。 大研化学工業は、大阪府立大学と共同でカーボンナノチューブをAFM用カンチレバーの先端に取り付けたプローブを開発した。講演では、その応用例を解説する。 |
| 氏名: |
永瀬 雅夫 様 |
| 所属: |
日本電信電話株式会社
NTT物性科学基礎研究所
量子電子物性研究部 |
| 講演タイトル: |
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| 概要: |
走査プローブ顕微鏡を用いたナノ計測技術の内、高精度形状評価、及び、ナノ構造の電気伝導特性計測について述べる。前半ではプローブ先端形状がSPM像に与える影響を定量的に評価することにより、実際の構造長をナノオーダーで計測できることを示す。後半では、独自に開発した集積化ナノプローブによりナノ構造の局所伝導特性の画像化が可能であることを示す。 |
【第2部 有機・高分子分野における応用事例】
| 氏名: |
叶 際平 様 |
| 所属: |
株式会社日産アーク 研究部 |
| 講演タイトル: |
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| 概要: |
1. 環境制御走査プローブ顕微鏡法によるナノ物性評価
ハードディスク潤滑膜、垂直磁気記録膜、高分子電解質膜、光学系高分子膜の評価事例
2. 高温ナノインデンテーション法による熱機械物性評価
硬さ・弾性率の温度依存性と有機・無機低誘電膜の分子構造の相関 |
| 氏名: |
塩野 大寿 様 |
| 所属: |
東京応化工業株式会社 開発本部先端材料開発一部 |
| 講演タイトル: |
走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトレジスト材料評価 |
| 概要: |
半導体加工で欠かせないフォトレジストは、耐熱性やエッチング耐性といった様々な性能を必要とします。本講演では、薄膜熱物性評価とラフネス特性評価にSPMを応用した事例を紹介いたします。 |
| 氏名: |
杉原 秀紀 様 |
| 所属: |
東洋紡績株式会社 総合研究所 |
| 講演タイトル: |
素材メーカーにおけるSPM分析 |
| 概要: |
素材メーカーにおいて、表面・界面分析は非常に重要な分析技術となっており、SPMが活躍する研究開発テーマは多岐にわたっている。講演では、研究開発上、SPMがどのように活用されているか紹介するとともに、ポリマーアロイ薄膜の構造評価例を紹介する。 |
| 氏名: |
岩崎 智仁 様 |
| 所属: |
酪農学園大学 食品科学科 応用生化学研究室 |
| 講演タイトル: |
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| 概要: |
骨格筋ミオシンのゲル化は、ハムやソーセージの品質を左右する決着性の発現因子である。ミオシンは熱や圧力といった物理的な要因で変性して三次元的なネットワークを形成してゲルを形成する。これまでに、ネットワーク構造を形成しているミオシンの変性体とゲル自体の「かたさ」の関係については明らかにされていなかった。我々の研究室では、原子間力顕微鏡を用いてミオシンの変性体の弾性率を計測し、ゲル自体のかたさとの関わりについて新たな知見を得ることができた。 |
【第3部 ストレージ、デバイス分野における展開】
| 氏名: |
竹村 泰司 様 |
| 所属: |
横浜国立大学 大学院工学研究院 電気電子ネットワーク |
| 講演タイトル: |
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| 概要: |
走査プローブ顕微鏡（SPM）の表面加工機能を利用して、ナノスケールのデバイス作製を行うことができる。観察している試料上をあたかも描画するようにSPM探針を走査してナノ加工ができ、かつその場で加工後の状態を確認できることは魅力的である。SPMを用いたリソグラフィ手法のひとつである陽極酸化に焦点をあて、強磁性金属薄膜のナノ加工に適応した実験例や、得られた構造の電気的・磁気的特性の評価を紹介する。 |
| 氏名: |
白砂 健司 様 |
| 所属: |
TDK株式会社 素材解析センター |
| 講演タイトル: |
原子間力顕微鏡ＡＦＭおよびＳＰＭ電気計測モードによる記録メディアの解析事例 |
| 概要: |
塗布型・蒸着型データテープのカーボンブラックの分布数値化による サンプル間の比較、DVD-RWやCD-RWなど相変化記録マーク解析における SPM電気モードの優位性、CD-Rにおける基板変形の原因解析等において SPMを応用した事例など、故障解析のスピードやSPMにしかできない解析 といった観点からご紹介します。 |
| 氏名: |
大橋 理也 様 |
| 所属: |
東芝ナノアナリシス株式会社 半導体評価解析センター |
| 講演タイトル: |
SSRMによる拡散層観察 |
| 氏名: |
長 康雄 様 |
| 所属: |
東北大学 電気通信研究所 誘電ナノデバイス研究分野 |
| 講演タイトル: |
非線形誘電率顕微鏡を用いた原子スケール誘電計測と次世代超高密度強誘電体記録 |
| 概要: |
非線形誘電率のミクロな分布の計測から強誘電材料や圧電材料中の分極分布や局所的異方性がサブナノメータの分解能で観測できる走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を開発しました。薄片化したLiTaO3単結晶を記録媒体として用い、新しく試作したSNDM強誘電体超高密度データストレージシステムで様々な検証を行った結果を報告します。 |
| 氏名: |
本田 耕一郎 様 |
| 所属: |
株式会社富士通研究所 基盤技術研究所 |
| 講演タイトル: |
SNDMを用いたFlashメモリの蓄積電荷の可視化 |
| 概要: |
SNDMを用いた半導体素子の絶縁体中の固定電荷の可視化、特に浮遊ゲート（FG）型メモリや、MONOS型メモリの電荷の蓄積位置、サイクリング後の電荷分布の可視化に適用した事例について報告します。 |
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