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fig.1 NTT-AT製シリコンパターンサンプル測定例 |
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近年、半導体産業を中心とした電子デバイスの微細化、高集積化にともない、 SPMに求められる測定の守備範囲は“面”から“立体”へと要求が高まってきています。半導体デバイスのビアホール、トレンチなどの切り立った微細形状や、ナノインプリント等のハイアスペクト形状については、例えばこれまで収束イオンビーム（FIB）で加工した断面をSEM観察するなど破壊的な検査も行われてきました。SPMは高精度かつ非破壊で、このようなハイアスペクト形状を観察するツールとして使用されています。
fig.1はNTT-ATN製シリコンパターンサンプル（高さ320nm、ライン＆スペース50nm）のハイアスペクト形状（７：１）測定例です。SISモードを組み合わせることにより側面からの吸着影響は著しく低減され、従来測定が困難であったナノスケールのハイアスペクト形状測定が容易に行えるようになりました。
SISモードは、DFMを進化させた最新の測定モードで、凹凸の大きな試料、吸着の大きな試料、柔らかい試料など、従来のSPMでは探針の制御が不安定になり測定に熟練を要したものが、容易かつ安定して行なえます（1）（2）。 |
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| 引用等： |
| (1) |
M. Yasutake, K. Watanabe, S. Wakiyama and T. Yamaoka: ” Critical Dimension Measurement Using New Scanning Mode and Aligned Carbon Nanotube SPM Tip”, JJAP, 45, No.3B (2006). |
| (2) |
T.Nishimura, M.Yasutake, K.Watanabe, S.Wakiyama; "Ｃｒｉｔｉｃａｌ dimension mｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ using new scanning mode and aligned Ｃａｒｂｏｎ nanotube SPM Tip",The 16th International Microscopy Congress(IMC16), Abstracts（2006）. |
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