| 概要 |
半導体デバイス用フォトマスクやレチクル上の欠陥をFIBによって修正する、65nmノード対応の次世代装置で、バイナリー及びハーフトーンマスクなどフォトマスク上の微小な欠陥や複雑な形状の欠陥を、高精度かつ低ダメージで修正する事が可能です。 |
| 特長 |
1.
修正精度が、従来の15nm（3σ）から、10nm（3σ）へ向上しました。 新型イオンビーム光学系の採用により、イオンビーム照射位置安定性が向上したことに加え、ビームを細く絞ることによって、微小な欠陥形状も細部にわたって観察することができます。その結果、欠陥形状を忠実に捕らえ、修正することができます。また、チャンバーユニットに温調システムを搭載し、温度変化を低減することによって、温度依存によるドリフトを低減しました。
2. 半導体レイアウト設計で用いられるEBの図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出し、欠陥箇所と重ね合わせることによって、正常なパターンにできるだけ近い形状で修正することができます。OPCなどの複雑な形状を修正する際に、より忠実な形状で修正することができます。
3. フォトマスク用SMIF搬送機構を採用しました。SMIF Podによって運ばれてきたフォトマスクをクリーン度の高い搬送機構を通じてチャンバー内に搬送することができるため、フォトマスクへのパーティクル（微細なゴミ）の付着を防ぐことができます。 |
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