エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社（略称：SIIナノテク、社長：北野 進、本社：東京都中央区新富2-15-5 RBM築地ビルTEL：03-6280-0070）は、180nmノード以前の半導体用フォトマスク上の欠陥を、FIB（集束イオンビーム）により修正するフォトマスク欠陥修正装置「SIR-5」を本日12月3日より発売します。この装置は1996年に発売した180nmノード対応フォトマスク欠陥修正装置「SIR3000」の後継機として、最新のプラットフォームを採用し、操作性を向上した上、高精度かつ低ダメージ修正を実現した装置です。

　フォトマスクは、半導体用回路を形成するためのリソグラフィ工程における原版となるものです。その製造工程で生じる欠陥は半導体素子の性能や製造歩留まりを左右するため、半導体の製造プロセスで影響を与えないように、フォトマスクは無欠陥もしくは修正によって欠陥を完全に除去することが必要です。フォトマスクの欠陥修正には、パターンの一部が欠落している個所（白欠陥^*1）にカーボンを堆積する修正(白欠陥修正)と、本来光が透過する部分に存在する異物（黒欠陥^*1）をエッチング除去する修正(黒欠陥修正)とがあります。フォトマスク欠陥修正装置は、こうした白黒両欠陥を修正することにより、マスクの歩留まりを大幅に向上することができるため、マスク製造プロセスで大変重要な技術です。

　SIR-5は標準仕様として白欠陥修正機能のみを有します。この装置に黒欠陥修正機能や高精度修正機能をオプションとして追加することにより、130nmノード以上の白黒両欠陥が修正できる装置として、微小欠陥から大型欠陥までさまざまな欠陥を修正することができるようになります。各種修正機能をオプション化することにより、それぞれのお客様にとって必要な機能だけを低価格でご提供できるように構成しました。また、SIR-5は欠陥修正での観察評価に二次電子像を利用します。二次電子像は従来の二次イオン像に比べてラインエッジの状態をより細かくとらえることができるため、より高精度で確実な欠陥認識と修正を実現することができます。

　SIIナノテクでは1985年にFIBを用いたフォトマスク欠陥修正装置を発売して以来、20年以上にわたって国内外で高いシェアを確保しています。180nmノード以前のフォトマスクは、デバイス製造に欠くことができないマスクとして現在も多く量産されています。SIIナノテクでは1996年に180nmノード用フォトマスク対応の修正装置としてSIR3000を発売し、今もなお製造現場において使用されていますが、発売からすでに10年以上経過したため、その後継機として性能、使い勝手を高めたSIR-5を発売するものです。今後、国内外のフォトマスク製造メーカに向けて販売を進めてまいります。

【SIR-5の主な特長】

1.優れたデポジション膜形成
新型イオン光学系によりビーム径を微細化し、優れた形状のデポジション膜を作製することができます。またFIB有機カーボンを採用することにより、ハロー^*2の少ないデポジション膜を形成することができます。

2. 精度の高い修正
マスクの観察評価には、パターンエッジの視認性が高い二次電子像を利用します。これにより加工領域の作成が正確になり、精度の高い修正が可能となりました。

3. 高品質の転写性能
転写への影響が少ないワンポイントドリフト補正^*3による加工が可能です。

4. 容易な操作
Microsoft Windows®をベースとしたGUI環境を採用し、容易に操作が可能です。

【SIR-5主な仕様】

加速電圧：	30kV
ビーム電流量：	50pA	（15pA)
修正精度：	50nm(3σ）以下	（25nm以下）
標準視野（FOV）サイズ：	20µm×20µm	（10µm×10µm）
白欠陥修正方法：	FIB有機カーボンデポジション法
修正に使用するイメージ：	二次電子イメージ

【標準価格】

SIR-5本体

2億5000万円（税別）

【注記】

*1　白欠陥、黒欠陥
パターンが欠落している透明欠陥を白欠陥、不必要なパターンがついている不透明欠陥を黒欠陥という

*2　ハロー
白欠陥修正部の周りにデポジション膜が薄く付着した状態。この膜が付着することにより、修正箇所の光学特性が落ちる可能性がある。そこでハローの少ないデポジション膜を採用することで細い線幅での白欠陥修正をおこなう。

*3　ワンポイントドリフト補正
マスクパターン上にマーキングを行い、このマークを基準にイメージが動かないように行う補正法。

フォトマスク欠陥修正装置 SIR-5

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