2005年11月9日

65nmノード世代対応SPM型フォトマスク欠陥修正装置「SPR6300」を発売
プローブ技術を応用し、フォトマスク上の欠陥を修正

　エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社（略称：SIIナノテク、　社長：船本宏幸、本社：東京都中央区新富2-15-5 RBM築地ビル　電話：03-6280-0070）は、65nmノード世代に対応する半導体デバイス用フォトマスクの欠陥を修正するSPM型フォトマスク欠陥修正装置「SPR6300」を12月より発売します。
この装置は、走査型プローブ顕微鏡(SPM)の技術をフォトマスク欠陥修正に応用し、フォトマスク上の黒欠陥*1を、ダイヤモンド探針を用いて修正する装置です。本装置を用いることで、これまで集束イオンビーム（FIB）やレーザーを用いた修正技術では難しいとされていた微小な異物の除去や孤立欠陥の修正が可能となりました。

　近年の半導体デバイスの微細化にともない、半導体用回路を形成するためのリソグラフィ工程において原版となるフォトマスクの歩留まり率の向上が要求されており、フォトマスク修正技術の重要性が増しています。65nmノード世代では、RET技術*2の発達により、OPCパターン＊3が積極的に使われているため、修正しなければならない欠陥サイズがナノメータオーダーである上に、複雑な形状になってきています。さらに193nmのArFリソグラフィ＊4の要求から、修正箇所の光学特性も非常に厳しく、ガラスへのダメージを10nm以下まで減らさなければなりません。 　最近ではA-PSM（Alternating Phase Shift Mask）*5の数が増えつつあり、これに伴って、ガラス上のバンプ欠陥やエッジ欠陥を修正する必要性が増してきました。また、レーザーなど従来の修正技術を用いて行っていた異物の除去や孤立欠陥の修正もサイズの微細化に伴って、修正することが困難になってきました。

　1985年に研究開発に着手して以来、SPMのリーディングカンパニーとして最先端技術を用いた製品を数多く提供してきたSIIナノテクでは、これらの課題を解決するため、SPM技術をフォトマスク修正に応用し、SPR6300を開発しました。SPR6300ではSPMの高分解能観察機能を修正装置として応用し、従来の観察用探針に加え、新開発のダイヤモンド探針を使用することによってフォトマスク上の欠陥の物理的な修正を可能としました。
SPMはナノメータオーダーの高分解能観察に優れていることに加え、FIBでは測定できない深さ情報を得ることが出来るため、欠陥形状を正確に観察し、それに基づいた高精度な修正を可能とします。また、Gaイオン注入による透過率の低下が生じないため、FIB方式のフォトマスク修正装置の課題であった低ダメージでの修正も可能です。
　SPR6300は当社のSPMと同等の機能を持っており、フォトマスク観察用SPMとしても使用できます。更に、カーボンナノプローブとSIIナノテク独自の観察モードであるSISモード*6を併用することによって、A-PSMのような凹凸パターンにおいても高精細な3D観察を可能とします。


【SPR6300の主な特長】

1. 修正精度10nm以下（3σ）を実現
　SPMによる優れた観察機能により、これまで困難であった深さ方向の形状の正確な把握が可能になりました。FIB方式のSIRシリーズで培ったマスク修正機能と組み合わせることにより、10nm以下の高精度な修正を実現しました。レーザーやFIBでは難しいとされていた微小な異物の除去や孤立欠陥の修正に威力を発揮します。

2.　軟X線による除電システムを採用
　チャージアップ防止のために、軟X線除電システムを採用しました。取り扱いにあたってX線作業主任者の資格を必要とせず、誰でも装置を使うことができます。

3.　 自動カンチレバー交換機能
　カンチレバーを自動で交換することができるため、加工用カンチレバーと観察用カンチレ
バーを簡単に切り替えて使用することができます。

4.　ローテーションステージの採用
　ローテーションステージの採用により、マスクを入れ直すことなく斜め方向パターン上の欠陥も修正することができます。

5.　SIR7000FIBとのリンケージ修正も可能
　SPR6300で取得した正確な欠陥高さ情報をSIR7000FIBへ送り、その情報に基づいてFIBによる修正を行うことができます。SPMによる欠陥の位置、高さ情報を利用することで、高精度なFIB修正を行うことが可能です。

【価格】
SPR6300本体　　5億円 （税別）

【発売開始】
2005年12月1日

【注記】
*1　白欠陥、黒欠陥　
パターンが欠落している透明欠陥を白欠陥、不必要なパターンがついている不透明欠陥を黒欠陥という。
*2　RET技術
resolution enhancement technologyの略称。解像度向上技術。
*3　OPCパターン
光近接効果補正（Optical proximity correction）を用いたパターン。露光後の転写パターンが意図したパターンどおりになるように、予めマスク側のパターンに補正を加えておく技術。
*4　ArFリソグラフィ
波長193nmのArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザの光源を用い、マスク上のパターンをウェハ上に縮小投影露光した工程の総称。
*5 A-PSM（Alternating Phase Shift Mask）
シリコンウエハのパターンを高精細化するための特殊なフォトマスクの一種。マスクに段差をつけて光の位相をコントロールすることで高微細化する。
*6 SISモード（Sampling Intelligent Scan）
データ取得時のみ探針を試料に接近させ、位置情報を取得するスキャン方法。カーボンナノプローブを組み合わせることで、急峻な表面形状を測定することが可能。

以上